Der Transistor Einen Bipolartransistor nennt man einen Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Er besteht aus drei abwechselnd p- und n-dotierten Halbleiterschichten, die als Kollektor (C), Basis (B) und Emitter (E) bezeichnet werden. Die Basis ist besonders dünn und liegt zwischen Kollektor und Emitter. -
 Es gibt npn-Typen und pnp-Typen, die Buchstaben geben die Reihenfolge der Schichtung an. Somit bildet ein Bipolartransistor immer zwei gegeneinander geschaltete Dioden. -
 Beim Transistor steuert ein Strom IB im Basis-Emitter-Kreis einen (stärkeren) Strom IC im Kollektor-Emitter-Kreis. -
 Funktionsweise: Die drei Kristallschichten bilden zwei p-n-Übergänge aus, d.h. es handelt sich um zwei Dioden mit einer gemeinsamen Elektrode. Als Beispiel ist ein npn-Transistor gewählt. Nachfolgend sind oben schematisch die Verhältnisse im Kristall dargestellt, darunter im Bändermodell. 
Solange man nur Kollektor und Emitter anschließt (+ am Kollektor, - am Emitter), hat man es mit zwei Dioden zu tun, von denen eine gesperrt ist, es fließt also kein Strom. Die angelegte Spannung verkleinert zwar die B-E-Sperrschicht, vergrößert aber die C-B-Sperrschicht.
Durch Schließen des B-E-Stromkreises (+ an der Basis, - am Emitter) wird die B-E-Diode leitend. Es gelangen Elektronen aus dem Emitter (lat. emittere = aussenden) in die Basis. Hier befinden sie sich aber auf der Seite der C-B-Sperrschicht, von der aus sie keinen Potenzialwall, sondern ein Gefälle darstellt, das elektrische Feld in der Sperrschicht beschleunigt die meisten Elektronen in Richtung Kollektor (lat. colligere = sammeln). Somit fließt nun auch Strom im C-E-Stromkreis.
Da der zwischen Basis und Emitter fließende Strom nur die B-E-Sperrschicht leitend machen muss, genügt hier ein kleiner Strom. Die einmal in die Basis gelangten Elektronen fließen zum größten Teil (ca. 99%) weiter zum Kollektor. Es wird also ein ca. 100mal größerer Strom durch den kleinen gesteuert. Das Verhältnis der Ströme ist vom Typ abhängig, man bezeichnet es als den Stromverstärkungsfaktor β. Es liegt in der Größenordnung von 10 bis 10000, je nach Konstruktion des Transistors.
Beim pnp-Transistor ist die Reihenfolge der Schichten p-n-p, d.h. die beiden Dioden zwischen Basis und Emitter sowie zwischen Basis und Kollektor haben jeweils die entgegengesetzte Polung gegenüber dem npn-Typ.
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Die Wirkungsweise eines pnp-Transistors ist entsprechend, jedoch sind die Polungen beider Stromkreise umzukehren, um der entgegengesetzten Polung der beiden Sperrschichten Rechnung zu tragen.
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Im Schaltzeichen drückt man den Unterschied aus, indem man den Richtungspfeil der Basis-Emitter-Diode umdreht.
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