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Darlington Transistor Ein Darlington-Transistor ist ein elektronisches Bauelement, das aus zwei kombinierten Bipolartransistoren in einem Gehäuse besteht. Der Vorteil dieser Technik ist, dass bei gleichbleibendem Platzbedarf eine erheblich höhere Stromverstärkung erreicht werden kann. Die gesamte Verstärkung beträgt dabei das Produkt der Verstärkungen der beiden Einzeltransistoren, bei modernen Darlingtons sind das 1000 und mehr. Der Darlington-Transistor hat bei hohen Frequenzen eine größere Phasenverschiebung als ein einzelner Transistor, so dass bei negativer Rückkopplung leichter Instabilitäten auftreten können. Die Basis-Emitter-Spannung ist doppelt so hoch und beträgt beim Silizium Darlington-Transistor > 1,2 Volt. Die Darlington-Schaltung, ursprünglich aus zwei einzelnen Bauelementen bestehend, wurde von Sidney Darlington in den Bell Laboratories erfunden. Er ließ sich die Idee, zwei oder drei Transistoren auf einem Chip zu verbauen patentieren, nicht aber die Verwendung beliebig vieler Transistoren, so dass moderne integrierte Schaltkreise nicht davon betroffen sind. 
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